| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0209684 |
| 005 | 20230627145928.0 |
| 010 | $a: 978-7-111-71973-1$d: CNY189.00 |
| 100 | $a: 20230316d2023 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi$c: eng |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 三维芯片集成与封装技术$A: san wei xin pian ji cheng yu feng zhuang ji shu$f: (美) 刘汉诚著$g: 杨兵译 |
| 210 | $a: 北京$c: 机械工业出版社$d: 2023.01 |
| 215 | $a: xv, 445页$c: 图$d: 24cm |
| 225 | $a: 微电子与集成电路先进技术丛书$A: wei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu |
| 306 | $a: 本授权中文简体翻译版由麦格劳-希尔教育出版公司和机械工业出版社合作出版 |
| 312 | $a: 英文题名原文取自版权页 |
| 314 | $a: 刘汉诚 (John H. Lau) 博士是电子、光电、LED、CIS和MEMS元件和系统方面设计、分析、材料、工艺、制造、鉴定、可靠性、测试和热管理等领域的著名专家, 特别是在焊接力学和制造、符合RoHS的产品、SMT、扇入和扇出倒装芯片WLP、TSV, 以及其他用于IC的3D集成和SiP技术方面有着超高造诣。 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书系统地讨论了用于电子、光电子和MEMS器件的2.5D、3D, 以及3D IC集成和封装技术的最新进展和未来可能的演变趋势, 同时详尽地讨论了IC的3D集成和封装关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。通过介绍半导体产业中IC按照摩尔定律的发展以及演变的历史, 阐述3D集成和封装的优势和挑战, 结合当前3D集成关键技术的发展重点讨论TSV制程与模型、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持晶圆键合技术、3D堆叠的微凸点制造与组装技术、3D Si集成、2.5D/3D IC集成和采用无源转接板的3D IC集成、2.5D/3D IC集成的热管理技术、封装基板技术, 以及存储器、LED、MEMS、CIS 3D IC集成等关键技术问题, 最后讨论3D IC封装技术。 |
| 410 | $a: 微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 500 | $1: 0$a: 3D IC integration and packaging$m: Chinese |
| 606 | $a: 集成芯片$A: ji cheng xin pian$x: 封装工艺 |
| 690 | $a: TN430.5$v: 5 |
| 701 | $a: 刘汉诚$A: liu han cheng$4: 著 |
| 702 | $a: 杨兵$A: yang bing$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: XUPT$c: 20230627 |
| 905 | $d: TN430.5$r: CNY189.00$e: 9 |
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